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TMS4464-20FML

更新时间： 2024-09-23 17:29:23

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TMS4464-20FML 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J18	长度：	12.446 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC18,.33X.53
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	3.53 mm	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.366 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS4464-20NL	TI	获取价格	64KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, PDIP18
TMS44800-10DGC	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO28
TMS44800-10DZ	TI	获取价格	IC 512K X 8 FAST PAGE DRAM, 100 ns, PDSO28, Dynamic RAM
TMS44800-60DGC	TI	获取价格	IC 512K X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28, Dynamic RAM
TMS44800-60DZ	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO28
TMS44800-70DGC	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO28
TMS44800-70DZ	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO28
TMS44800-80DGC	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO28
TMS44800-80DZ	TI	获取价格	512KX8 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO28
TMS44800L-10DGC	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM