是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 170 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.907 mm | 部门规模: | 64 |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS29F258-170JE4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-170JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-170JL4 | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-170JQ | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 170ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-20 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS29F258-200 | TI |
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262,144-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS29F258-200FML | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PQCC32 | |
TMS29F258-200JE | TI |
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暂无描述 | |
TMS29F258-200JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS29F258-200JL | TI |
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32KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |