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TMS28F200BZB70BDBJQ

更新时间： 2024-11-16 20:13:35

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TMS28F200BZB70BDBJQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP44,.63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TTL COMPATIBLE I/O; BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.2 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.63 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
最大待机电流：	0.000008 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS28F200BZB70BDBRE	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70BDBRE	TI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56
TMS28F200BZB70BDBRL	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB70BDBRQ	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70BDBRQ	TI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56
TMS28F200BZB70CDBJE	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB70CDBJL	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70CDBJL	TI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO44
TMS28F200BZB70CDBJQ	ETC	获取价格	x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70CDBJQ	TI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO44