5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> TMS28F200BZB70BDBJL
TMS28F200BZB70BDBJL PDF预览

TMS28F200BZB70BDBJL

更新时间： 2024-09-29 03:09:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
29页 405K
描述
262144 BY 8-BIT/131072 BY 16-BIT BOOT-BLOCK FLASH MEMORIES

阅读下载

中文翻译

获取价格

TMS28F200BZB70BDBJL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.88
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：16
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：28.2 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.63 mm
部门规模：16K,8K,96K,128K最大待机电流：0.0000012 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：13.3 mmBase Number Matches：1

TMS28F200BZB70BDBJL 数据手册

 浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TMS28F200BZB70BDBJL的Datasheet PDF文件第7页 
TMS28F200BZT, TMS28F200BZB  
262144 BY 8-BIT/131072 BY 16-BIT  
BOOT-BLOCK FLASH MEMORIES  
SMJS200E – JUNE 1994 – REVISED JANUARY 1998  
DBJ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 262144 by 8 bits  
131072 by 16 bits  
Array-Blocking Architecture  
– Two 8K-Byte Parameter Blocks  
– One 96K-Byte Main Block  
– One 128K-Byte Main Block  
– One 16K-Byte Protected Boot Block  
– Top or Bottom Boot Locations  
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44 RP  
PP  
NC  
NC  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
43  
W
42  
A8  
41 A9  
40 A10  
39 A11  
38 A12  
All Inputs/Outputs TTL Compatible  
37  
A13  
36 A14  
Maximum Access/Minimum Cycle Time  
35  
34  
33  
32  
A1 10  
A0 11  
A15  
A16  
BYTE  
V
± 10%  
CC  
’28F200BZx70  
’28F200BZx80  
’28F200BZx90  
70 ns  
80 ns  
90 ns  
E
12  
13  
14  
V
V
SS  
G
SS  
31 DQ15/A  
30 DQ7  
29 DQ14  
28 DQ6  
–1  
(x = top (T) or bottom (B) boot-block  
configurations ordered)  
DQ0 15  
DQ8 16  
DQ1 17  
DQ9 18  
DQ2 19  
DQ10 20  
DQ3 21  
DQ11 22  
10000 Program/Erase-Cycles  
27  
DQ13  
Three Temperature Ranges  
26 DQ5  
25 DQ12  
24 DQ4  
– Commercial . . . 0°C to 70°C  
– Extended . . . – 40°C to 85°C  
– Automotive . . . – 40°C to 125°C  
23  
V
CC  
Low Power Dissipation (V  
= 5.5 V)  
CC  
– Active Write . . . 330 mW (Byte-Write)  
– Active Read . . . 330 mW (Byte-Read)  
– Active Write . . . 358 mW (Word-Write)  
– Active Read . . . 330 mW (Word-Read)  
– Block-Erase . . . 165 mW  
– Standby . . . 0.55 mW (CMOS-Input  
Levels)  
– Deep Power-Down Mode . . . 0.0066 mW  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A16  
BYTE  
Address Inputs  
Byte Enable  
DQ0–DQ14 Data In/Out  
DQ15/A  
Data In/Out (word-wide mode),  
Low-Order Address (byte-wide mode)  
Chip Enable  
–1  
E
G
Output Enable  
NC  
RP  
No Internal Connection  
Reset/Deep Power-Down  
5-V Power Supply  
12-V Power Supply for Program/Erase  
Ground  
Fully Automated On-Chip Erase and  
Word/Byte-Program Operations  
V
CC  
V
PP  
V
SS  
Write-Protection for Boot Block  
Industry-Standard Command State Machine  
(CSM)  
W
Write Enable  
– Erase-Suspend/Resume  
– Algorithm-Selection Identifier  
description  
The TMS28F200BZx is a 262144 by 8-bit/131072 by 16-bit (2097152-bit), boot-block flash memory that can  
be electrically block-erased and reprogrammed. The TMS28F200BZx is organized in a blocked architecture  
consisting of one 16K-byte protected boot block, two 8K-byte parameter blocks, one 96K-byte main block, and  
one 128K-byte main block. The device can be ordered with either a top or bottom boot-block configuration.  
Operation as a 256K-by 8-bit or a 128K-by16-bit organization is user-definable.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...29

中文翻译

下载PDF

与TMS28F200BZB70BDBJL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS28F200BZB70BDBJQ TI

获取价格

 		256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO44
TMS28F200BZB70BDBRE ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70BDBRE TI

获取价格

 		256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56
TMS28F200BZB70BDBRL ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB70BDBRQ ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70BDBRQ TI

获取价格

 		256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56
TMS28F200BZB70CDBJE ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB70CDBJL ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM
TMS28F200BZB-70CDBJL TI

获取价格

 		256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO44
TMS28F200BZB70CDBJQ ETC

获取价格

 		x8/x16 Flash EEPROM

与TMS28F200BZB70BDBJL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证