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TMS28F200BZB-90BDBJL

更新时间: 2024-11-16 15:54:47
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 859K
描述
256KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO44

TMS28F200BZB-90BDBJL 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最长访问时间:90 ns
其他特性:DEEP POWER-DOWN备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:28.2 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.63 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:13.3 mm
Base Number Matches:1

TMS28F200BZB-90BDBJL 数据手册

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