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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, TSSOP56,.8,20 |
| 针数： | 56 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 80 ns | 其他特性： | DEEP POWER-DOWN |
| 备用内存宽度： | 16 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1,2,1,1 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 16K,8K,96K,128K | 最大待机电流： | 0.0000012 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS28F200BZB80BDBRQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB80CDBJE | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO44 |
|
| TMS28F200BZB80CDBJL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB-80CDBJL | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO44 |
|
| TMS28F200BZB80CDBJQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-80CDBJQ | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO44 |
|
| TMS28F200BZB80CDBRE | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB80CDBRL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB80CDBRQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB-80CDBRQ | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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