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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 80 ns | 其他特性： | DEEP POWER-DOWN |
| 备用内存宽度： | 16 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| 长度： | 28.2 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.63 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 13.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS28F200BZB80BDBJQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB80BDBRE | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-80BDBRE | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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| TMS28F200BZB80BDBRL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-80BDBRL | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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| TMS28F200BZB80BDBRQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB80CDBJE | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO44 |
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| TMS28F200BZB80CDBJL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-80CDBJL | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 80ns, PDSO44 |
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| TMS28F200BZB80CDBJQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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