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TMS28F200BZB-70BDBJE

更新时间: 2024-11-16 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 859K
描述
256KX8 FLASH 12V PROM, 70ns, PDSO44

TMS28F200BZB-70BDBJE 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最长访问时间:70 ns其他特性:DEEP POWER-DOWN
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.2 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.63 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:13.3 mmBase Number Matches:1

TMS28F200BZB-70BDBJE 数据手册

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