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TMS28F200BZB-6CDBJQ

更新时间: 2024-09-29 15:54:47
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 859K
描述
256KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO44

TMS28F200BZB-6CDBJQ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP44,.63Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.88最长访问时间:60 ns
其他特性:DEEP POWER-DOWN备用内存宽度:16
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:NO耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:28.2 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP44,.63
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.63 mm部门规模:16K,8K,96K,128K
最大待机电流:0.000008 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.065 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:13.3 mmBase Number Matches:1

TMS28F200BZB-6CDBJQ 数据手册

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