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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, TSSOP56,.8,20 |
| 针数： | 56 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | DEEP POWER-DOWN | 备用内存宽度： | 16 |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,1 | 端子数量： | 56 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K,8K,96K,128K |
| 最大待机电流： | 0.0000012 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS28F200BZB6BDBRQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-6BDBRQ | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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| TMS28F200BZB6CDBJE | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB6CDBJL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB6CDBJQ | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB-6CDBJQ | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO44 |
|
| TMS28F200BZB6CDBRE | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| TMS28F200BZB-6CDBRE | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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| TMS28F200BZB6CDBRL | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| TMS28F200BZB-6CDBRL | TI |
获取价格 |
256KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO56, PLASTIC, TSOP-56 |
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