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TMS28F010A-10C4DDQ4 PDF预览

TMS28F010A-10C4DDQ4

更新时间： 2024-01-26 17:06:13
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 328K
描述
1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY

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TMS28F010A-10C4DDQ4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TSOP1,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：100 ns其他特性：10000 PROGRAM/ERASE CYCLES
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：18.415 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

TMS28F010A-10C4DDQ4 数据手册

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TMS28F010A  
1048576-BIT FLASH  
ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY  
SMJS012 – DECEMBER 1992 – REVISED NOVEMBER 1993  
N PACKAGE  
•
•
Organization . . . 128K × 8-Bit Flash Memory  
Pin Compatible With Existing 1-Megabit  
EPROMs  
(TOP VIEW)  
V
V
CC  
W
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
PP  
•
•
•
V
Tolerance ±10%  
CC  
A16  
A15  
A12  
A7  
2
All Inputs/Outputs TTL Compatible  
Maximum Access/Minimum Cycle Time  
NC  
A14  
A13  
A8  
3
4
’28F010A-10  
’28F010A-12  
’28F010A-15  
’28F010A-17  
100 ns  
120 ns  
150 ns  
170 ns  
5
A6  
6
A5  
A9  
7
A4  
A11  
G
8
•
•
Industry-Standard Programming Algorithm  
PEP4 Version Available With 168-Hour  
Burn-In and Choice of Operating  
Temperature Ranges  
Chip Erase Before Reprogramming  
10000 and 1000 Program/Erase-Cycle  
Versions Available  
A3  
9
A2  
A10  
E
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A1  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
•
•
DQ0  
DQ1  
DQ2  
•
Low Power Dissipation (V  
– Active Write . . . 55 mW  
– Active Read . . . 165 mW  
= 5.5 V)  
CC  
V
SS  
– Electrical Erase . . . 82.5 mW  
– Standby . . . 0.55 mW  
(CMOS-Input Levels)  
FM PACKAGE  
(TOP VIEW)  
•
Automotive Temperature Range  
– 40°C to 125°C  
4
5
3
2
1
32 31 30  
29  
description  
A7  
A6  
A14  
A13  
A8  
6
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
The TMS28F010A is a 1048576-bit, program-  
7
A5  
mable read-only memory that can be electrically  
bulk-erased and reprogrammed. It is available in  
10000 and 1000 program/erase-endurance-  
cycle versions.  
8
A4  
A9  
9
A3  
A11  
G
10  
11  
12  
13  
A2  
A1  
A10  
E
The TMS28F010A Flash EEPROM is offered in a  
dual in-line plastic package (N suffix) designed for  
insertion in mounting-hole rows on 15,2-mm  
(600-mil) centers, a 32-lead plastic leaded  
chip-carrier package using 1,25-mm (50-mil) lead  
spacing (FM suffix), a 32-lead thin small-outline  
package (DD suffix), and a reverse pinout TSOP  
package (DU suffix).  
A0  
DQ0  
DQ7  
14 15 16 17 18 19 20  
The TMS28F010A is characterized for operation  
in temperature ranges of 0°C to 70°C (NL, FML,  
DDL, andDULsuffixes), –40°Cto85°C(NE, FME,  
DDE, and DUE suffixes), and –40°C to 125°C  
(NQ, FMQ, DDQ, and DUQ suffixes). All package  
types are offered with 168-hour burn-in (4 suffix).  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A16  
DQ0–DQ7  
Address Inputs  
Data In/Data Out  
Chip Enable  
E
G
NC  
Output Enable  
No Internal Connection  
5-V Power Supply  
12-V Power Supply  
Ground  
V
V
V
CC  
PP  
SS  
W
Write Enable  
Copyright 1993, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...22

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与TMS28F010A-10C4DDQ4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS28F010A-10C4DUE TI

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 		128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO32
TMS28F010A-10C4DUE4 TI

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 		1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
TMS28F010A-10C4DUL TI

获取价格

 		128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO32
TMS28F010A-10C4DUL4 TI

获取价格

 		1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
TMS28F010A-10C4DUQ TI

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 		128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO32
TMS28F010A-10C4DUQ4 TI

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 		1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
TMS28F010A-10C4FME TI

获取价格

 		128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32
TMS28F010A-10C4FME4 TI

获取价格

 		1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY
TMS28F010A-10C4FML TI

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 		128KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32
TMS28F010A-10C4FML4 TI

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 		1048576-BIT FLASH ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY

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