是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 7.73 |
最长访问时间: | 120 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 13 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.907 mm |
最大待机电流: | 0.00025 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS27C256-12JE | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS27C256-12JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
TMS27C256-12JL | TI |
获取价格 |
262 144-Bitprogrammable Read-Only Memory 28-CDIP 0 to 70 | |
TMS27C256-12JL4 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
TMS27C256-15 | TI |
获取价格 |
8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES | |
TMS27C256-150JE | TI |
获取价格 |
TMS27C256 32768 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC256 32768 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMO | |
TMS27C256-150JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | |
TMS27C256-150JL | TI |
获取价格 |
TMS27C256 32768 BY 8-BIT UV ERASABLE TMS27PC256 32768 BY 8-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMO | |
TMS27C256-15JE | TI |
获取价格 |
262 144-Bitprogrammable Read-Only Memory 28-CDIP -40 to 85 | |
TMS27C256-15JE4 | TI |
获取价格 |
32KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |