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Datasheet > 存储 > EPROM> TMS27C020-12FML
TMS27C020-12FML PDF预览

TMS27C020-12FML

更新时间： 2024-01-30 18:39:49
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德州仪器 - TI 存储
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15页 195K
描述
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TMS27C020-12FML 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.81
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T32
长度：41.91 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.91 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

TMS27C020-12FML 数据手册

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TMS27C020 262144 BY 8-BIT UV ERASABLE  
TMS27PC020 262144 BY 8-BIT  
PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES  
SMLS020C – NOVEMBER 1990 – REVISED SEPTEMBER 1997  
J PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 262144 by 8 Bits  
Single 5-V Power Supply  
V
V
CC  
Operationally Compatible With Existing  
Megabit EPROMs  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
PP  
A16  
A15  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
PGM  
A17  
A14  
A13  
A8  
A9  
A11  
G
2
3
Industry Standard 32-Pin Dual-In-line  
Package and 32-Lead Plastic Leaded Chip  
Carrier  
4
5
6
All Inputs/Outputs Fully TTL Compatible  
7
±10% V  
Tolerance  
CC  
8
Max Access/Min Cycle Time  
± 10%  
9
V
A10  
E
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
CC  
’27C/PC020-10  
’27C/PC020-12  
’27C/PC020-15  
’27C/PC020-20  
’27C/PC020-25  
100 ns  
120 ns  
150 ns  
200 ns  
250 ns  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
8-Bit Output For Use in  
Microprocessor-Based Systems  
Very High-Speed SNAP! Pulse  
Programming  
TMS27PC020  
FM PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Power Saving CMOS Technology  
3-State Output Buffers  
400 mV Minimum DC Noise Immunity With  
Standard TTL Loads  
4
3 2 1 32 31 30  
A7  
A6  
A14  
5
29  
Latchup Immunity of 250 mA on All Input  
and Output Pins  
6
28 A13  
27 A8  
26 A9  
A5  
7
No Pullup Resistors Required  
A4  
8
9
25  
24  
23  
22  
21  
A3  
A11  
G
Low Power Dissipation (V  
= 5.5 V)  
CC  
10  
11  
12  
13  
A2  
– Active . . . 165 mW Worst Case  
– Standby . . . 0.55 mW Worst Case  
(CMOS-Input Levels)  
A1  
A10  
E
A0  
DQ0  
DQ7  
Temperature Range Options  
14 15 16 17 18 19 20  
description  
The TMS27C020 series are 262144 by 8-bit  
(2097152-bit), ultraviolet (UV) light erasable,  
electrically programmable read-only memories  
(EPROMs).  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A17  
Address Inputs  
DQ0–DQ7  
Inputs (programming)/Outputs  
Chip Enable  
E
G
GND  
PGM  
Output Enable  
Ground  
Program  
5-V Power Supply  
13-V Power Supply  
The TMS27PC020 series are one-time program-  
mable (OTP) electrically programmable read-only  
memories (PROMs).  
V
CC  
V
PP  
†
† Only in program mode  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1997, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS27C020-12JE TI

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