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TMM2064P-10

更新时间: 2024-11-19 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 383K
描述
TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCTS

TMM2064P-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TMM2064P-10 数据手册

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