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TMM2018AP-45

更新时间: 2024-11-19 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 338K
描述
16,384 bits high speed and low power static random access memory organized as 2,048 words by 8 bits and operates from a single 5V supply

TMM2018AP-45 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:LOW POWER STANDBY MODEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5 mm
子类别:SRAMs最大压摆率:0.135 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TMM2018AP-45 数据手册

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