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TMG8D80F

更新时间： 2024-09-23 21:53:55
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 476K
描述
TRIAC(Through Hole / Isolated)

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TMG8D80F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78Is Samacsys：N
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大漏电流：2 mA
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大均方根通态电流：8 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

TMG8D80F 数据手册

 浏览型号TMG8D80F的Datasheet PDF文件第2页 
(
)
TRIAC Through Hole / Isolated  
TMG8D80F  
(
)
Sensitive Gate  
Triac TMG8D80F is designed for full wave AC control applications.  
TO-220F  
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.  
10.5±0.3  
4.7±0.2  
2.7±0.2  
Typical Applications  
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro  
1
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications  
3
●
Industrial Use  
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,  
Heater Controls, Vending Machines, other control  
applications  
2.6±0.2  
0.60±0.15  
1.1±0.2  
1.4±0.2  
2
1
2
3
T1  
T2  
Gate  
Features  
0.6±0.15  
●
●
●
●
IT(RMS)=8A  
1
2
3
2.54±0.25  
5.08±0.5  
High Surge Current  
Low Voltage Drop  
Lead-Free Package  
Identifying Code：T8D8F  
Unit：mm  
■Maximum Ratings  
（Tj=25℃ unless otherwise specified）  
Symbol  
Item  
Reference  
Ratings  
Unit  
V
A
VDRM  
IT（RMS）  
ITSM  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
800  
8
80/88  
32  
Tc＝89℃  
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive  
A
2
2
2
I t  
A S  
I t（for fusing）  
GM  
P
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
5
0.5  
2
10  
1500  
W
W
A
V
V
G（AV）  
IGM  
VGM  
VISO  
Tj  
Peak Gate Voltage  
A.C. 1minute  
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
Mass  
℃
℃
g
－40～＋125  
－40～＋150  
2
Tstg  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Reference  
Unit  
Min. Typ. Max.  
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current  
Peak On-State Voltage  
1
D
DRM  
2
1.4  
10  
10  
―
10  
1.5  
1.5  
mA  
V
V =V  
, Single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
＋
V
IGT1  
T
I ＝12A, Inst. measurement  
－
IGT1  
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current  
Gate Trigger Voltage  
mA  
＋
IGT3  
－
IGT3  
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω  
＋
VGT1  
－
VGT1  
V
V
＋
VGT3  
―
1.5  
－
VGT3  
1
GD  
V
Non-Trigger Gate Voltage  
D
DRM  
0.2  
Tj＝125℃，V ＝／V  
2
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage at Commutation  
D
10  
〔dv dt〕c  
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝  
－
4A ms，V ＝400V  
V μs  
/
/
/
/
H
I
Holding Current  
15  
mA  
Rth  
Thermal Resistance  
Junction to case  
3.7  
℃ W  
/
＋
－
）
1（  
）
2（  
3（ III＋）  
4（ III－）  
12

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