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TMG3CQ60D

更新时间： 2024-01-09 19:45:07
品牌 Logo 应用领域
SANREX 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
3页 482K
描述
TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated)

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TMG3CQ60D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77Is Samacsys：N
换向电压的临界上升率-最小值：1 V/us最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大漏电流：2 mA
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大均方根通态电流：3 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

TMG3CQ60D 数据手册

 浏览型号TMG3CQ60D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TMG3CQ60D的Datasheet PDF文件第3页 
(
)
TRIAC Surface Mount Device / Non-isolated  
(
)
TMG3CQ60D  
Tj=150℃  
Triac TMG3CQ60D is designed for full wave AC control applications.  
TO-252  
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.  
（5.34）  
（0.9）  
Typical Applications  
6.60ꢀ±0.20  
5.34ꢀ±0.30  
2.30ꢀ±0.10  
0.50ꢀ±0.10  
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro  
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications  
TC POINT  
2
2
●
Industrial Use  
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,  
Heater Controls, Vending Machines, other control  
applications  
1
2
3
1
0.96ꢀ±0.20  
0.76ꢀ±0.20  
2.30ꢀ±0.20  
0.50ꢀ±0.10  
1.02ꢀ±0.20  
3
Features  
IT(RMS)=3A  
2.30ꢀ±0.20  
2.30ꢀ±0.20  
●
1
2
3
T1  
T2  
Gate  
●
●
●
High Surge Current  
Low Voltage Drop  
Lead-Free Package  
2
Unit：mm  
Identifying Code：T3CQ6D  
■Maximum Ratings  
（Tj=25℃ unless otherwise specified）  
Symbol  
Item  
Reference  
Ratings  
600  
Unit  
V
VDRM  
IT（RMS）  
ITSM  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
3
A
Tc＝136℃  
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive  
A
27 30  
/
2
2
2
I t  
3.7  
A S  
I t（for fusing）  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
1.5  
W
W
A
G（AV）  
P
0.1  
IGM  
VGM  
Tj  
1
Peak Gate Voltage  
7
V
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
Mass  
℃
℃
g
－40～＋150  
－40～＋150  
0.32  
Tstg  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
Symbol  
Item  
Reference  
Unit  
Min. Typ. Max.  
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current  
Peak On-State Voltage  
D
DRM  
1
mA  
V
V =V  
, Single phase, half wave, Tj＝150℃  
TM  
V
T
1.4  
15  
15  
I ＝4.5A, Inst. measurement  
＋
IGT1  
1
－
IGT1  
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current  
Gate Trigger Voltage  
mA  
＋
IGT3  
－
IGT3  
15  
1.5  
1.5  
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω  
＋
VGT1  
－
VGT1  
V
V
＋
VGT3  
－
VGT3  
1.5  
1
GD  
V
Non-Trigger Gate Voltage  
D
DRM  
0.1  
Tj＝150℃，V ＝／V  
2
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage at Commutation  
2
D
DRM  
5
〔dv dt〕c  
Tj＝150℃，〔di dt〕c＝  
－
1.5A ms，V ＝／V  
V μs  
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current  
2
mA  
Junction to case  
3.8  
60  
Rth（j-c）  
Rth（j-a）  
Thermal Resistance  
℃ W  
/
Junction to ambient  
＋
－
）
1（  
）
2（  
3（ III＋）  
4（ III－）  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com  
123

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