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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> TM841M-L
TM841M-L PDF预览

TM841M-L

更新时间： 2024-09-15 22:15:11
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三垦 - SANKEN 触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
TO-220 8A Triac

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TM841M-L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.86
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：30 mA最大直流栅极触发电压：2 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

TM841M-L 数据手册

 浏览型号TM841M-L的Datasheet PDF文件第2页 
TO-220 8A Triac  
TM841M-L, TM861M-L  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=400, 600V  
External Dimensions  
5.0max  
(Unit: mm)  
10.4max  
2.1max  
●RMS on-state current: IT(RMS)=8A  
●Gate trigger Current: IGT=30mAmax (MODE , ,  
)
±0.1  
φ
3.75  
a
b
±0.15  
1.35  
+0.2  
–0.1  
0.65  
±0.2  
±0.1  
±0.1  
1.7  
2.5  
2.5  
(1). Terminal 1 (T1)  
(2). Terminal 2 (T2)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.6g  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
TM841M-L  
400  
TM861M-L  
600  
Repetitive peak off-state voltage  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Peak gate voltage  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
VGM  
IGM  
V
A
8.0  
80  
10  
2
Conduction angle 360°, Tc=108°C  
A
50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
V
Peak gate current  
A
Peak gate power loss  
Average gate power loss  
Junction temperature  
Storage temperature  
PGM  
PG(AV)  
Tj  
5
W
W
°C  
°C  
0.5  
–40 to  
–40 to  
+
125  
Tstg  
+125  
■Electrical Characteristics  
(Tj=25°C, unless otherwise specified)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
0.1  
1.6  
2.0  
2.0  
2.0  
0.3  
VD  
=
VDRM, RGK  
=
=
, Tj  
=
125°C  
25°C  
∞
∞
Off-state current  
mA  
V
IDRM  
VTM  
VD=  
VDRM, RGK  
, Tj=  
On-state voltage  
Pulse test, ITM=10A  
0.8  
0.7  
0.8  
0.9  
8
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
Gate trigger voltage  
VGT  
V
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
25°C  
25°C  
30  
30  
30  
10  
12  
30  
Gate trigger current  
IGT  
mA  
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
VGD  
IH  
0.2  
V
VD  
=
1/2×VDRM, Tj=125°C  
12  
mA  
VD=  
6V  
Thermal resistance  
Rth  
1.8  
°C/W  
Junction to case  
36  
12

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