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TM60SZ-M

更新时间: 2024-11-19 22:19:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
MEDIUM POWER GENERAL USE NON-INSULATED TYPE

TM60SZ-M 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.87配置:COMMON ANODE, 3 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:0螺丝端子的描述:0
JESD-30 代码:R-PUFM-X9最大漏电流:25 mA
通态非重复峰值电流:1200 A元件数量:3
端子数量:9最大通态电流:95000 A
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:94.2 A
断态重复峰值电压:400 V重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TM60SZ-M 数据手册

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MITSUBISHI THYRISTOR MODULES  
TM60SZ-M  
MEDIUM POWER GENERAL USE  
NON-INSULATED TYPE  
TM60SZ-M  
IT (AV) Average on-state current............ 60A  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
................ 400V  
VDRM Repetitive peak off-state voltage  
................ 400V  
TRIPLE ARMS  
Non-Insulated Type  
APPLICATION  
Welders  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
93.5  
80  
2–φ6.5  
K3  
K
2
K1  
K
3
K
2
K1  
K
K
K
G3  
3
G2  
2
G1  
1
CR3  
CR  
2
CR1  
3–M5  
17.5  
20  
20  
Tab#110, t=0.5  
A
K
3
K
2
K1  
LABEL  
A
Feb.1999  

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