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TM583S-L

更新时间： 2024-01-20 03:07:13

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三垦 - SANKEN		局域网三端双向交流开关
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1页	19K
描述
TRIAC, 800V V(DRM), 5A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

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TM583S-L 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.78	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	5 A
断态重复峰值电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

TM583S-L 数据手册

TO-220F 5A Triac

TM583S-L

Features

Repetitive peak off-state voltage: V_DRM=800V

External Dimensions

±0.2

4.2

2.8

±0.2

(Unit: mm)

10.0

3.3

C 0.5

RMS on-state current: I_T(RMS)=5A

Gate trigger current: I_GT=20mA max (MODE , ,

)

Isolation voltage: V_ISO=1500V (50Hz Sine wave, RMS )

±0.15

1.35

±0.15

1.35

0.85

+0.2

–0.1

+0.2

–0.1

±0.2

2.4

2.54

2.54 0.45

±0.2

2.2

(1). Terminal 1 (T₁)

(2). Terminal 2 (T₂)

(3). Gate (G)

a. Part Number

b. Lot Number

(1) (2) (3)

Weight: Approx. 2.1g

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

Surge on-state current

Peak gate voltage

Symbol

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

Ratings

800

5.0

Unit

Conditions

, Tj=–40 to +125°C

R_GK=

∞

Conduction angle =360°, Tc=101°C

50Hz full-cycle sine wave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C

V_GM

50Hz, duty 10%

Peak gate current

I_GM

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Isolation voltage

P_GM

P_G(AV)

0.5

–40 to

125

°C

Vrms

Tstg

ISO

1500

50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.

Electrical Characteristics

(

Tj=25°C, unless otherwise specified)

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

min

max

2.0

0.1

1.6

2.0

V_D=V_DRM, R_GK

, Tj=125°C

∞

Off-state current

I_DRM

V_TM

V_D=V_DRM, R_GK

, Tj=25°C

On-state voltage

I_TM=7A, Tc=25°C

1.3

0.7

0.8

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

Gate trigger voltage

V_GT

V_D=6V, R_L=10Ω, Tc=25°C

Gate trigger current

I_GT

Gate non-trigger voltage

Holding current

V_GD

I_H

0.2

V_D=1/2 ×V_DRM, Tj=125°C

Tj=25°C

Rising rate of off-state voltage in commutating

Thermal resistance

(dv/dt)c

Rth

V/µs

°C/W

V_D=400V, (di/dt)c = –2A/ms, Tj=125°C, I_T=1A

4.0

Junction to Case

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STM32F103C8T6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表

与TM583S-L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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TM58P05	ETC	TM58P05	获取价格
TM5IO	PANASONIC	32-bit Single-chip Microcontroller	获取价格
TM5RA-44(50)	HRS	Telecom and Datacom Connector	获取价格
TM5RA-64(50)	HRS	Telecom and Datacom Connector	获取价格
TM5RA-66(50)	HRS	Telecom and Datacom Connector	获取价格