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TM583S-L

更新时间： 2024-11-18 19:57:31
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三垦 - SANKEN 局域网三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
TRIAC, 800V V(DRM), 5A I(T)RMS, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

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TM583S-L 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.78外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：5 A
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

TM583S-L 数据手册

  
TO-220F 5A Triac  
TM583S-L  
 Features  
 Repetitive peak off-state voltage: VDRM=800V  
External Dimensions  
±0.2  
4.2  
2.8  
±0.2  
±0.2  
(Unit: mm)  
φ
10.0  
3.3  
C 0.5  
 RMS on-state current: IT(RMS)=5A  
 Gate trigger current: IGT=20mA max (MODE , ,  
)
a
b
 Isolation voltage: VISO=1500V (50Hz Sine wave, RMS )  
±0.15  
1.35  
±0.15  
1.35  
0.85  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54 0.45  
±0.2  
2.2  
(1). Terminal 1 (T1)  
(2). Terminal 2 (T2)  
(3). Gate (G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.1g  
 Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Repetitive peak off-state voltage  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Peak gate voltage  
Symbol  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
Ratings  
800  
5.0  
45  
Unit  
Conditions  
, Tj=–40 to +125°C  
V
A
RGK=  
∞
Conduction angle =360°, Tc=101°C  
A
50Hz full-cycle sine wave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
VGM  
10  
V
f
f
f
50Hz, duty 10%  
50Hz, duty 10%  
50Hz, duty 10%  
Peak gate current  
IGM  
2
A
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
PGM  
5
W
PG(AV)  
Tj  
0.5  
W
–40 to  
–40 to  
+
+
125  
125  
°C  
°C  
Vrms  
Tstg  
V
ISO  
1500  
50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.  
 Electrical Characteristics  
(
Tj=25°C, unless otherwise specified)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
0.1  
1.6  
2.0  
2.0  
2.0  
20  
VD=VDRM, RGK  
=
, Tj=125°C  
∞
∞
mA  
V
Off-state current  
IDRM  
VTM  
VD=VDRM, RGK  
=
, Tj=25°C  
On-state voltage  
ITM=7A, Tc=25°C  
1.3  
0.7  
0.8  
7
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
Gate trigger voltage  
VGT  
V
VD=6V, RL=10Ω, Tc=25°C  
VD=6V, RL=10Ω, Tc=25°C  
Gate trigger current  
IGT  
10  
12  
20  
mA  
20  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
VGD  
IH  
0.2  
5
V
VD=1/2 ×VDRM, Tj=125°C  
Tj=25°C  
20  
mA  
Rising rate of off-state voltage in commutating  
Thermal resistance  
(dv/dt)c  
Rth  
V/µs  
°C/W  
VD=400V, (di/dt)c = –2A/ms, Tj=125°C, IT=1A  
4.0  
Junction to Case  
34  
1

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