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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 | 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | RAS ONLY REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-N30 |
| 内存密度： | 589824 bit | 内存集成电路类型： | DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SIM30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 256 |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TM4164FM9-20 | TI |
获取价格 |
TM4164FM9-20 |
|
| TM4164FM9-20L | TI |
获取价格 |
64KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4164FM9-20L | ROCHESTER |
获取价格 |
DRAM Module, 64KX9, 200ns, NMOS, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 |
|
| TM4172 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
|
| TM4179 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
|
| TM4256EC4-12L | TI |
获取价格 |
256KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22 |
|
| TM4256EL9-10L | ROCHESTER |
获取价格 |
DRAM Module, 256KX9, 100ns, NMOS, SIMM-30 |
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| TM4256EL9-15L | TI |
获取价格 |
256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30 |
|
| TM4256EQ5-20L | TI |
获取价格 |
256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24 |
|
| TM4256EU9-15L | TI |
获取价格 |
MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC |
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