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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> TM361M-L
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TM361M-L

更新时间： 2024-10-31 22:19:31
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
TO-220 3A Triac

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TM361M-L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：20 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：2 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

TM361M-L 数据手册

 浏览型号TM361M-L的Datasheet PDF文件第2页 
TO-220 3A Triac  
TM341M-L, TM361M-L  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=400, 600V  
External Dimensions  
5.0max  
(Unit: mm)  
10.4max  
2.1max  
●RMS on-state current: IT(RMS)=3A  
●Gate trigger Current: IGT=20mAmax (MODE , ,  
)
±0.1  
φ
3.75  
a
b
±0.15  
1.35  
+0.2  
–0.1  
0.65  
±0.2  
±0.1  
±0.1  
1.7  
2.5  
2.5  
(1). Terminal 1 (T1)  
(2). Terminal 2 (T2)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.6g  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
TM341M-L  
400  
TM361M-L  
600  
Repetitive peak off-state voltage  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Peak gate voltage  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
VGM  
IGM  
V
A
3.0  
30  
6
Conduction angle 360°, Tc=115°C  
A
50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
V
Peak gate current  
0.5  
3
A
Peak gate power loss  
Average gate power loss  
Junction temperature  
Storage temperature  
PGM  
PG(AV)  
Tj  
W
W
°C  
°C  
0.3  
–40 to  
–40 to  
+
125  
Tstg  
+125  
■Electrical Characteristics  
(Tj=25°C, unless otherwise specified)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
0.1  
1.6  
2.0  
2.0  
2.0  
0.3  
VD  
=
VDRM, RGK  
=
=
, Tj  
=
125°C  
25°C  
∞
∞
mA  
V
IDRM  
VTM  
Off-state current  
On-state voltage  
VD=  
VDRM, RGK  
, Tj=  
Pulse test, ITM=5A  
0.7  
0.7  
0.8  
0.8  
8
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
Gate trigger voltage  
Gate trigger current  
VGT  
V
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
25°C  
25°C  
20  
20  
20  
10  
12  
15  
IGT  
mA  
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
VGD  
IH  
0.2  
V
VD  
=
1/2×VDRM, Tj=125°C  
10  
mA  
VD=  
6V  
Thermal resistance  
Rth  
3.0  
°C/W  
Junction to case  
28  
12

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