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TM2541B-L PDF预览

TM2541B-L

更新时间： 2024-09-23 22:36:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
TO-3PF 25A Triac

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TM2541B-L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.78外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：400 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

TM2541B-L 数据手册

 浏览型号TM2541B-L的Datasheet PDF文件第2页 
TO-3PF 25A Triac  
TM2541B-L, TM2561B-L  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=400, 600V  
±0.2  
5.5  
±0.2  
3.45  
External Dimensions  
±0.2  
3.2  
(Unit: mm)  
●RMS on-state current: IT(RMS)=25A  
±0.2  
3.35  
●Gate trigger current: IGT=30mA max (MODE , ,  
●Isolation voltage: VISO=2000V(AC, 1min.)  
●UL approved type available  
)
a
b
+0.2  
–0.1  
1.75  
2.15  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
±0.1  
+0.2  
–0.1  
1.05  
0.65  
±0.1  
5.45  
5.45  
±0.2  
15.6  
1.5 4.4 1.5  
(1). Terminal 1 (T1)  
(2). Terminal 2 (T2)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
Weight: Approx. 6.5g  
(1) (2) (3)  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
RGK= , Tj=–40°C to +125°C  
∞
TM2541B-L  
400  
TM2561B-L  
600  
Repetitive peak off-state voltage  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Peak gate voltage  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
VGM  
IGM  
V
A
25  
240  
10  
2
Conduction angle 360°, Tc=84°C  
A
50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
V
f
f
f
50Hz, duty 10%  
50Hz, duty 10%  
50Hz, duty 10%  
Peak gate current  
A
Peak gate power loss  
Average gate power loss  
Junction temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
PGM  
PG(AV)  
Tj  
5
W
0.5  
W
–40 to  
–40 to  
2000  
+
125  
°C  
°C  
Vrms  
Tstg  
VISO  
+125  
50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
0.1  
1.3  
2.0  
2.0  
2.0  
0.3  
VD=VDRM, RGK  
=
=
, Tj=125°C  
, Tj=25°C  
∞
∞
mA  
V
Off-state current  
IDRM  
VTM  
VD=VDRM, RGK  
On-state voltage  
I
TM=20A, TC=25°C  
0.8  
0.8  
0.8  
1.0  
17  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
Gate trigger voltage  
VGT  
V
VD=6V, RL=10Ω, TC=25°C  
VD=6V, RL=10Ω, TC=25°C  
30  
30  
30  
19  
Gate trigger current  
IGT  
mA  
22  
50  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
VGD  
IH  
0.2  
10  
V
VD=1/2×VDRM, Tj=125°C  
Tj=25°C  
40  
mA  
Rate-of-rise of off-state commutation voltage  
Thermal resistance  
(dv/dt)c  
Rth  
V/µs  
°C/W  
VD=400V, Tj=125°C  
Junction to case  
1.5  
50  
12

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