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TM16100EBD9-10

更新时间: 2024-09-24 20:56:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 203K
描述
16MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30

TM16100EBD9-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SIM30针数:30
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:150994944 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.009 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.54 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TM16100EBD9-10 数据手册

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