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TM1262B-R

更新时间： 2024-01-09 18:31:27

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三垦 - SANKEN		可控硅
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2页	53K
描述
TO-3PF 12A Triac

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TM1262B-R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	12 A	断态重复峰值电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

TM1262B-R 数据手册

TO-3PF 12A Triac

TM1262B-R

■Features

±0.2

5.5

±0.2

3.45

External Dimensions

±0.2

(Unit: mm)

3.2

●Repetitive peak off-state voltage: V_DRM=600V

●RMS on-state current: I_T(RMS)=12A

●Gate trigger current: I_GT=8mA max (MODE , ,

●Isolation voltage: V_ISO=2000V(AC, 1min.)

●For resistive load

)

±0.2

3.35

+0.2

–0.1

1.75

+0.2

–0.1

2.15

●UL approved type available

+0.2

–0.1

±0.1

+0.2

–0.1

1.05

0.65

±0.1

5.45

±0.2

15.6

1.5 4.4 1.5

(1). Terminal 1 (T₁)

(2). Terminal 2 (T₂)

(3). Gate(G)

a. Part Number

b. Lot Number

Weight: Approx. 6.5g

(1) (2) (3)

■Absolute Maximum Ratings

Parameter

Repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

Surge on-state current

Peak gate current

Symbol

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

Ratings

600

Unit

Conditions

= , Tj=–40°C to +125°C

∞

R_GK

Conduction angle 360°, Tc=98°C

120

50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C

I_GM

50Hz, duty 10%

Peak gate power loss

Average gate power loss

Junction temperature

Storage temperature

Isolation voltage

P_GM

P_G(AV)

0.5

–40 to

125

°C

Vrms

Tstg

V_ISO

2000

50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.

■Electrical Characteristics

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

min

max

2.0

0.1

1.6

1.8

1.2

0.3

V_D=V_DRM, R_GK

, Tj=125°C

, Tj=25°C

∞

Off-state current

I_DRM

V_TM

V_D=V_DRM, R_GK

On-state voltage

I_TM=16A, T_C=25°C

0.8

0.4

1.1

0.6

0.7

2.1

5.0

4.5

5.0

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

T₂^–, G⁺

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

T₂^–, G⁺

Gate trigger voltage

V_GT

V_D=20V, R_L=40Ω, T_C=25°C

2.0

8.0

Gate trigger current

I_GT

Gate non-trigger voltage

Holding current

V_GD

I_H

0.1

V_D

Junction to case

1/2×V_DRM, Tj

=125°C

=25°C

Thermal resistance

Rth

2.0

°C/W

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