TM1261

更新时间： 2024-02-03 17:36:43

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三垦 - SANKEN		可控硅
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2页	67K
描述
TO-220F 12A Triac

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TM1261 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.26	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	8 mA
最大直流栅极触发电压：	1.8 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
重复峰值关态漏电流最大值：	2000 µA	断态重复峰值电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

TM1261 数据手册

TO-220F 12A Triac

TM1241S-R, TM1261S-R

■Features

●Repetitive peak off-state voltage: V_DRM=400, 600V

External Dimensions

±0.2

4.2

2.8

±0.2

(Unit: mm)

10.0

3.3

C0.5

●RMS on-state current: I_T(RMS)=12A

●Gate trigger current: I_GT=8mA max (MODE , ,

)

●Isolation voltage: V_ISO=1500V(50Hz Sine wave, RMS)

●For resistive load

±0.15

1.35

±0.15

1.35

0.85

+0.2

–0.1

●UL approved type available

+0.2

–0.1

±0.2

2.54

2.54 0.45

2.4

±0.2

2.2

(1). Terminal 1 (T₁)

(2). Terminal 2 (T₂)

(3). Gate(G)

a. Part Number

b. Lot Number

(1) (2) (3)

Weight: Approx. 2.1g

■Absolute Maximum Ratings

Ratings

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

TM1241S-R

400

TM1261S-R

600

Repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

Surge on-state current

Peak gate voltage

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

V_GM

I_GM

Conduction angle 360°, Tc=84°C

110

—

50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C

Peak gate current

Peak gate power loss

Average gate power loss

Junction temperature

Storage temperature

Isolation voltage

P_GM

P_G(AV)

0.5

–40 to

125

°C

Vrms

Tstg

V_ISO

1500

50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.

■Electrical Characteristics

(Tj=25°C, unless otherwise specified)

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

min

max

2.0

0.1

1.6

1.8

1.2

V_D

V_DRM, R_GK

, Tj

125°C

25°C

∞

Off-state current

I_DRM

V_TM

V_D=

V_DRM, R_GK

, Tj=

∞

On-state voltage

Pulse test, I_TM=16A

1.1

0.6

0.7

2.1

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

T₂^–, G⁺

T₂⁺, G⁺

T₂⁺, G^–

T₂^–, G^–

T₂^–, G⁺

Gate trigger voltage

V_GT

V_D=

6V, R_L=10Ω, T_C

25°C

4.5

Gate trigger current

I_GT

V_D=

6V, R_L=10Ω, T_C

Gate non-trigger voltage

Holding current

V_GD

I_H

0.1

V_D

1/2×V_DRM, Tj=125°C

V_D=

Thermal resistance

Rth

3.0

°C/W

Junction to case

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