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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> TM1241S-L
TM1241S-L PDF预览

TM1241S-L

更新时间： 2024-11-20 22:15:11
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
TO-220F 12A Triac

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TM1241S-L 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.26
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

TM1241S-L 数据手册

 浏览型号TM1241S-L的Datasheet PDF文件第2页 
TO-220F 12A Triac  
TM1241S-L, TM1261S-L  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=400, 600V  
External Dimensions  
±0.2  
4.2  
2.8  
±0.2  
±0.2  
(Unit: mm)  
φ
10.0  
3.3  
C0.5  
●RMS on-state current: IT(RMS)=12A  
●Gate trigger current: IGT=30mA max (MODE , ,  
)
a
b
●Isolation voltage: VISO=1500V(50Hz Sine wave, RMS)  
●UL approved type available  
±0.15  
1.35  
±0.15  
1.35  
0.85  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
±0.2  
2.54  
2.54 0.45  
2.4  
±0.2  
2.2  
(1). Terminal 1 (T1)  
(2). Terminal 2 (T2)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.1g  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
TM1241S-L  
400  
TM1261S-L  
600  
Repetitive peak off-state voltage  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Peak gate voltage  
VDRM  
IT(RMS)  
ITSM  
VGM  
IGM  
V
A
12.0  
Conduction angle 360°, Tc=85°C  
120  
10  
2
A
50Hz full-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
V
Peak gate current  
A
Peak gate power loss  
Average gate power loss  
Junction temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
PGM  
PG(AV)  
Tj  
5
W
0.5  
W
–40 to  
–40 to  
+
+
125  
125  
°C  
°C  
Vrms  
Tstg  
VISO  
1500  
50Hz Sine wave, RMS, Terminal to Case, 1 min.  
■Electrical Characteristics  
(Tj=25°C, unless otherwise specified)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
0.1  
1.6  
2.0  
2.0  
2.0  
0.3  
VD  
=
VDRM, RGK  
=
=
, Tj  
=
125°C  
25°C  
∞
mA  
V
Off-state current  
IDRM  
VTM  
VD=  
VDRM, RGK  
, Tj=  
∞
On-state voltage  
Pulse test, ITM=16A  
0.8  
0.7  
0.8  
1.0  
12  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
T2+, G+  
T2+, G–  
T2–, G–  
T2–, G+  
Gate trigger voltage  
VGT  
V
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
25°C  
25°C  
30  
30  
30  
16  
Gate trigger current  
IGT  
mA  
VD=  
6V, RL=10Ω, TC  
=
25  
70  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
VGD  
IH  
0.2  
V
VD  
=
1/2×VDRM, Tj=125°C  
20  
mA  
VD=  
6V  
Thermal resistance  
Rth  
3.0  
°C/W  
Junction to case  
42  
12

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