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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 主体宽度： | 1.6 mm |
| 主体高度： | 1.2 mm | 主体长度或直径： | 3 mm |
| 外壳： | PLASTIC | 滞后： | 1.8 mT |
| 最大磁场范围： | 4.8 mT | 最小磁场范围： | 2 mT |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT | 最大工作电流： | 17 mA |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出接口类型： | 2-WIRE INTERFACE | 输出类型： | DIGITAL OUTPUT |
| 封装形状/形式： | RECTANGULAR | 传感器/换能器类型： | MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT |
| 最大供电电压： | 18 V | 最小供电电压： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 端接类型： | SOLDER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLV49762KXTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Hall Effect Sensor, 2mT Min, 4.8mT Max, Plastic/Epoxy, Rectangular, 3 Pin, Surface Mount, |
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| TLV521 | TI |
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单路、5.5V、6kHz、超低静态电流 (350nA)、RRIO 运算放大器 |
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| TLV521DCKR | TI |
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Single, 5.5-V, 6-kHz, ultra-low quiescent current (350-nA), RRIO operational amplifier | D |
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| TLV521DCKT | TI |
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Single, 5.5-V, 6-kHz, ultra-low quiescent current (350-nA), RRIO operational amplifier | D |
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| TLV522 | TI |
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双路、5.5V、8kHz、超低静态电流 (500nA)、RRIO 运算放大器 |
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| TLV522DGKR | TI |
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Dual, 5.5-V, 8-kHz, ultra-low quiescent current (500-nA), RRIO operational amplifier | DGK |
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| TLV522DGKT | TI |
获取价格 |
Dual, 5.5-V, 8-kHz, ultra-low quiescent current (500-nA), RRIO operational amplifier | DGK |
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| TLV5510 | TI |
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2.7-V TO 3.6-V 8-BIT HIGH-SPEED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER |
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| TLV5510_05 | TI |
获取价格 |
2.7-V TO 3.6-V 8-BIT HIGH-SPEED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER |
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| TLV5510INS | TI |
获取价格 |
2.7-V TO 3.6-V 8-BIT HIGH-SPEED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER |
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