Datasheet > TLV333IDCKR

TLV333IDCKR

更新时间： 2024-11-28 11:11:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器光电二极管运算放大器
页数	文件大小	规格书
39页	2014K
描述
适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| DCK \| 5 \| -40 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TLV333IDCKR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.7
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00013 µA
最小共模抑制比：	106 dB	标称共模抑制比：	130 dB
最大输入失调电压：	15 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e4	长度：	2 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	座面最大高度：	1.1 mm
标称压摆率：	0.16 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	0.028 mA	供电电压上限：	7 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
标称均一增益带宽：	350 kHz	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

TLV333IDCKR 数据手册

Support &

Community

Product

Folder

Order

Now

Tools &

Software

Technical

Documents

TLV333, TLV2333, TLV4333

ZHCSEE6 –DECEMBER 2015

TLVx333 2μV V_OS、0.02μV/°C、17μA、CMOS 运算放大器

零漂移系列

1 特性

3 说明

•

非常出色的性价比

低失调电压：2μV

TLVx333 系列 CMOS 运算放大器不但具备精密的性

能，而且价格极具竞争力。这些器件属于采用专有自动

校准技术的零漂移系列放大器，在整个时间和温度范围

内的失调电压非常低（最大 15μV）且几乎零漂移，并

且静态电流只有 28μA。TLVx333 系列具有轨至轨输

入和输出以及几乎不变的 1/f 噪声特性，因此，这款放

大器是众多应用的理想之选，而且更易于系统设计。

这些器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V

(±2.75V) 的低压状态下工作。

•

零点漂移：0.02μV/°C

低噪声：1.1 μV_PP，0.1Hz 至 10Hz

静态电流：17μA

电源电压：1.8V 至 5.5V

轨到轨输入/输出

内部电磁干扰 (EMI) 滤波功能

微型封装：SOT23、SC70

TLV333（单通道版本）提供 SC70-5、SOT23-5 和

SOIC-8 三种封装。TLV2333（双通道版本）提供

VSSOP-8 和 SOIC-8 两种封装。TLV4333 提供标准

SOIC-14 和 TSSOP-14 两种封装。所有器件版本的额

定工作温度范围均为 -40°C 至 +125°C。

2 应用

•

电池供电仪器

温度测量

传感器应用

电子称

器件信息⁽¹⁾

医疗仪表

手持测试设备

电流检测

器件型号

封装

SOIC (8)

封装尺寸（标称值）

4.90mm x 3.91mm

2.90mm × 1.60mm

2.00mm × 1.25mm

4.90mm x 3.91mm

3.00mm × 3.00mm

8.65mm × 3.91mm

TLV333

SOT-23 (5)

SC70 (5)

SOIC (8)

TLV2333

TLV4333

VSSOP (8)

SOIC (14)

薄型小外形尺寸封装

(TSSOP) (14)

5.00mm x 4.40mm

0.1Hz 至 10Hz 噪声

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

1 s/div

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SBOS751

12 3 4 5 6 7...39

中文翻译

下载PDF

与TLV333IDCKR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TLV333IDCKT	TI	获取价格	适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| DC
TLV333IDR	TI	获取价格	适用于成本敏感型系统的单路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| D
TLV3401	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401_13	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CD	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CDBV	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CDBVR	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CDBVRG4	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CDBVT	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS
TLV3401CDBVTG4	TI	获取价格	FAMILY OF NANOPOWER OPEN DRAIN OUTPUT COMPARATORS

与TLV333IDCKR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TLV333IDCKR

TLV333IDCKR 技术参数

TLV333IDCKR 数据手册

与TLV333IDCKR相关器件

与TLV333IDCKR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TLV333IDCKR

TLV333IDCKR 技术参数

TLV333IDCKR 数据手册

与TLV333IDCKR相关器件

与TLV333IDCKR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？