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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MSOP |
| 包装说明： | VSSOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.5 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.00005 µA | 最小共模抑制比： | 77 dB |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.00005 µA | 最大输入失调电压： | 3500 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 3 mm | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 微功率： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP8,.19 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法： | TR | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | NO | 电源： | +-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最小摆率： | 6 V/us |
| 标称压摆率： | 6 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 1 mA | 供电电压上限： | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 9000 kHz |
| 最小电压增益： | 31622 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TLV2632IDGK | TI |
功能相似  |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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| TLV2632IDR | UMW |
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低噪声运算放大器 |
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| TLV2632IDRG4 | TI |
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| TLV2632IP | TI |
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DUAL OP-AMP, 4500uV OFFSET-MAX, 9MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
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| TLV2633 | TI |
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| TLV2633ID | TI |
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| TLV2633IDGS | TI |
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| TLV2633IDGSG4 | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 4500uV OFFSET-MAX, 9MHz BAND WIDTH, PDSO10, PLASTIC, MSOP-10 |
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| TLV2633IDGSR | TI |
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