是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL10,.3 | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.92 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0003 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA |
标称共模抑制比: | 83 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 2000 µV | JESD-30 代码: | R-GDFP-F10 |
长度: | 6.475 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
负供电电压上限: | 标称负供电电压 (Vsup): | ||
功能数量: | 2 | 端子数量: | 10 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL10,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.03 mm |
最小摆率: | 0.1 V/us | 标称压摆率: | 0.25 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 0.27 mA |
供电电压上限: | 12 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 500 kHz |
最小电压增益: | 500 | 宽度: | 6.225 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLV2432A-Q1 | TI |
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汽车级、双路、10V、500kHz、低失调电压运算放大器 | |
TLV2432AQD | TI |
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Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLV2432AQDG4 | TI |
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双路、10V、500kHz、低失调电压运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 | |
TLV2432AQDR | TI |
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Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-S | |
TLV2432AQDRG4 | TI |
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Dual, 10-V, 500-kHz, low-offset operational amplifier | D | 8 | -40 to 125 | |
TLV2432AQDRG4Q1 | TI |
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Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- | |
TLV2432AQDRQ1 | TI |
获取价格 |
Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- | |
TLV2432CD | TI |
获取价格 |
Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLV2432CDR | TI |
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Dual, 10-V, 500-kHz operational amplifier | D | 8 | 0 to 70 | |
TLV2432CDRG4 | TI |
获取价格 |
Advanced LinCMOS™ Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifi |