是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERAMIC, DIP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0003 µA | 标称共模抑制比: | 83 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 2000 µV |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T8 | 长度: | 9.58 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
微功率: | YES | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 0.1 V/us |
标称压摆率: | 0.25 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 0.27 mA | 供电电压上限: | 12 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 500 kHz | 最小电压增益: | 500 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLV2432AMJGB | TI |
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Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-C | |
TLV2432AMU | TI |
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Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLV2432AMUB | TI |
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Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 10- | |
TLV2432A-Q1 | TI |
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汽车级、双路、10V、500kHz、低失调电压运算放大器 | |
TLV2432AQD | TI |
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Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLV2432AQDG4 | TI |
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双路、10V、500kHz、低失调电压运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 | |
TLV2432AQDR | TI |
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Advanced LinCMOS(TM) Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-S | |
TLV2432AQDRG4 | TI |
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Dual, 10-V, 500-kHz, low-offset operational amplifier | D | 8 | -40 to 125 | |
TLV2432AQDRG4Q1 | TI |
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Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- | |
TLV2432AQDRQ1 | TI |
获取价格 |
Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- |