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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.09 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比： | 83 dB | 最大输入失调电压： | 2500 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 | 长度： | 9.58 mm |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 标称压摆率： | 0.02 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 供电电压上限： | 12 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 46 kHz |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLV2422MU | TI |
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Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLI |
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| TLV2422MUB | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 0.046 MHz BAND WIDTH, CDFP10, CERAMIC, DFP-10 |
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| TLV2422MUB | TI |
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军用级、双路、10V、52kHz 运算放大器 | U | 10 | -55 to 125 |
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| TLV2422-Q1 | TI |
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Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- |
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| TLV2422QD | TI |
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Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLI |
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| TLV2422QD | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 0.046MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 |
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| TLV2422QDG4 | TI |
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DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 0.046MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
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| TLV2422QDR | TI |
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暂无描述 |
|
| TLV2422QDRG4 | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 0.046MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
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| TLV2422QDRG4Q1 | TI |
获取价格 |
Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE- |
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