TLP750

更新时间： 2024-01-25 07:34:22

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东芝 - TOSHIBA		光电输出元件
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7页	192K
描述
TOSHIBA Photocoupler GaAГAs Ired + Photo IC

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TLP750 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
当前传输比率-最小值：	5%	最大正向电流：	0.025 A
最大正向电压：	1.85 V	最大绝缘电压：	5000 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	元件数量：	1
最大通态电流：	0.008 A	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大功率耗散：	0.1 W
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

TLP750 数据手册

TLP750

TOSHIBA Photocoupler GaAℓAs Ired + Photo IC

TLP750

Degital Logic Ground Isolation

Unit in mm

Line Receiver

Microprocessor System Interfaces

Switching Power Supply Feedback Control

Analog Signal Isolation

The TOSHIBA TLP750 consists of GaAℓAs high−output light emitting

diode and a high speed detector of one chip photo diode−transistor.

This unit is 8−lead DIP.

TLP750 has no internal base connection, and is suitable for application in

noisy environmental conditions.

Switching speed: t

=0.3µs(typ.)

=0.5µs(typ.)(R =1.9kΩ)

pHL

pLH

UL recognized: UL1577, file No. E67349

BSI approved: BS EN60065: 1994,

Certificate No.7613

TOSHIBA

11−10C4

Weight: 0.54g

BS EN60950: 1992,

Certificate No.7614

Pin Configuration (top view)

Isolation voltage: 5000V

(min.)

rms

: N.C.

Option(d4)type

: Anode

: Cathode

: N.C.

: Emitter

: Collector

: N.C.

VDE approved: DIN VDE0884/06.92,

Certificate No.68384

Maximum operating insulation voltage: 890V

Highest permissible over voltage: 8000V

(Note) When a VDE0884 approved type is needed,

please designate the “Option(D4)”

: Cathode

Creepage distance: 6.4mm(min.)

Clearance: 6.4mm(min.)

Insulation thickness: 0.4mm(min.)

Schematic

GND

2002-09-25

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