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TLP581

更新时间: 2024-02-28 05:34:34
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其他 - ETC 晶体光电二极管晶体管光电晶体管输出元件
页数 文件大小 规格书
3页 328K
描述
GaAIAs INFRARED EMITTING DIODE AND NPN SILICON PHOTO-TRANSISTOR

TLP581 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP-5Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.40.80.00风险等级:5.8
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:35 V配置:SINGLE
标称电流传输比:60%最大暗电源:100 nA
最大正向电流:0.05 A最大绝缘电压:5000 V
JESD-609代码:e0元件数量:1
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

TLP581 数据手册

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