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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP-5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.40.80.00 | 风险等级： | 5.85 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED, VDE APPROVED | Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 标称电流传输比： | 60% |
| 最大暗电源： | 100 nA | 最大正向电流： | 0.05 A |
| 最大绝缘电压： | 5000 V | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 光电设备类型： | TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLP581 | ETC |
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GaAIAs INFRARED EMITTING DIODE AND NPN SILICON PHOTO-TRANSISTOR |
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| TLP582 | TOSHIBA |
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| TLP5832 | TOSHIBA |
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Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-2.5 A, 5000 Vrms, SO8L |
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| TLP590B | TOSHIBA |
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GaAS As Ired & Photo−Diode Array |
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| TLP590B(C20) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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| TLP590B(C20-LF1) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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| TLP590B(C20-LF2) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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| TLP590B(C20-LF4) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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| TLP590B(C20-TP1) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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| TLP590B(LF5) | TOSHIBA |
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Optoelectronic Device:Other, SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
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