TLP3111

更新时间： 2024-09-18 22:42:07

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东芝 - TOSHIBA		光电二极管
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5页	115K
描述
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET

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TLP3111 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SOP-6/4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.47
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大正向电流：	0.03 A
最大绝缘电压：	1500 V	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最大通态电流：	0.1 A
最大通态电阻：	20 Ω	最高工作温度：	50 °C
最低工作温度：	25 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SSR
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

TLP3111 数据手册

TLP3111

TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET

TLP3111

Measurement Instruments

Logic IC Testers / Memory Testers

Board Testers / Scanners

Unit in mm

The TOSHIBA mini flat photo relay TLP3111 is a small outline photo

relay, suitable for surface mount assembly.

The TLP3111 consists of a GaAs infrared emitting diode optically coupled

to a photo−MOSFET in a 4 pin lead package (MFSOP6), and has

characteristics of small off−state current and small output terminal

capacitance, which enable the TLP3111 to be applied to measurement

instruments.(especially to high−frequency measurements)

1−form−A

Peak off−state voltage: 80V(min.)

Trigger LED current: 4mA(max.)

On−state current: 100mA(max.)

On−state resistance: 20Ω(max.)

Isolation voltage: 1500V

(min.)

rms

JEDEC

―

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 0.1 g

11−4C3

Pin Configurations (top view)

1 : Anode

3 : Cathode

4 : Drain

6 : Drain

2002-09-25

12 3 4 5

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