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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.00006 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.000003 µA |
| 最小共模抑制比： | 72 dB | 标称共模抑制比： | 90 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.0008 µA |
| 最大输入失调电压： | 4000 µV | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 19.3 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 负供电电压上限： | -19 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V | 功能数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 功率： | NO | 电源： | +-3.5/+-18/7/36 V |
| 可编程功率： | NO | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最小摆率： | 2.5 V/us |
| 标称压摆率： | 3.4 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.35 mA | 供电电压上限： | 19 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIFET | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 2000 kHz |
| 最小电压增益： | 10000 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 6.35 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TLE2064ACN | TI |
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| TLE2064AMD | ROCHESTER |
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QUAD OP-AMP, 8000uV OFFSET-MAX, 1.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 |
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| TLE2064AMD | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2064AM-D | TI |
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采用 SOIC-14 封装的军用级、四通道、36V、2MHz、输入接近 V+、1.5mv |
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