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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.004 µA |
| 标称共模抑制比： | 82 dB | 最大输入失调电压： | 4400 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 负供电电压上限： | -19 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称压摆率： | 3.4 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 供电电压上限： | 19 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIFET |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 1300 kHz | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLE2061IDG4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2061IDR | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2061IDRG4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2061IP | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2061IP | ROCHESTER |
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OP-AMP, 4400uV OFFSET-MAX, 1.3MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
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| TLE2061IPE4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2061M | TI |
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军用级单路 36V、2MHz、输入接近 V+ 的 JFET 输入运算放大器 |
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| TLE2061MD | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLE2061MD | ROCHESTER |
获取价格 |
OP-AMP, 6000uV OFFSET-MAX, 1.3MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
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| TLE2061M-D | TI |
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采用 SOIC-8 封装的军用级、单路、36V、2MHz、输入接近 V+、JFET 输入运 |
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