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TLE2027QDRQ1 PDF预览

TLE2027QDRQ1

更新时间： 2024-11-19 03:09:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
29页 526K
描述
EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED PRECISION POERATIONAL AMPLIFIERS

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TLE2027QDRQ1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.24
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.15 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.09 µA标称共模抑制比：131 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：200 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
低-失调：YES负供电电压上限：-19 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm最小摆率：1 V/us
标称压摆率：2.8 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：5.6 mA供电电压上限：19 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL标称均一增益带宽：13000 kHz
最小电压增益：1800000宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

TLE2027QDRQ1 数据手册

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ꢜ
SGLS202A − OCTOBER 2003 – REVISED OCTOBER 2006  
D
Qualification in Accordance With  
AEC-Q100  
D
Available in Standard-Pinout Small-Outline  
Package  
†
D
Qualified for Automotive Applications  
D
D
Output Features Saturation Recovery  
Circuitry  
D
Customer-Specific Configuration Control  
Can Be Supported Along With  
Major-Change Approval  
Macromodels and Statistical information  
D
D
ESD Protection Exceeds 2000 V Per  
MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V  
Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
OFFSET N1  
IN −  
OFFSET N2  
1
2
3
4
8
7
6
5
Outstanding Combination of DC Precision  
and AC Performance:  
V
CC +  
IN +  
OUT  
NC  
Unity-Gain Bandwidth . . . 15 MHz Typ  
V
CC −  
V
. . . . 3.3 nV/√Hz at f = 10 Hz Typ,  
2.5 nV/√Hz at f = 1 kHz Typ  
. . . . 25 µV Max  
n
V
A
IO  
. . . 45 V/µV Typ With R = 2 kΩ,  
VD  
L
19 V/µV Typ With R = 600 Ω  
L
†
Contact factory for details. Q100 qualification data available on  
request.  
description  
The TLE20x7 and TLE20x7A contain innovative circuit design expertise and high-quality process control  
techniques to produce a level of ac performance and dc precision previously unavailable in single operational  
amplifiers. Manufactured using Texas Instruments state-of-the-art Excalibur process, these devices allow  
upgrades to systems that use lower-precision devices.  
In the area of dc precision, the TLE20x7 and TLE20x7A offer maximum offset voltages of 100 µV and 25 µV,  
respectively, common-mode rejection ratio of 131 dB (typ), supply voltage rejection ratio of 144 dB (typ), and  
dc gain of 45 V/µV (typ).  
The ac performance of the TLE2027 and TLE2037 is highlighted by a typical unity-gain bandwidth specification  
of 15 MHz, 55° of phase margin, and noise voltage specifications of 3.3 nV/√Hz and 2.5 nV/√Hz at frequencies  
of 10 Hz and 1 kHz, respectively. The TLE2037 and TLE2037A have been decompensated for faster slew rate  
(−7.5 V/µs, typical) and wider bandwidth (50 MHz). To ensure stability, the TLE2037 and TLE2037A should be  
operated with a closed-loop gain of 5 or greater.  
ORDERING INFORMATION  
V
max  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
IO  
‡
PACKAGE  
T
A
AT 25°C  
TLE2027AQDRQ1  
TLE2037AQDRQ1  
TLE2027QDRQ1  
TLE2037QDRQ1  
2027AQ  
25 µV  
SOIC (D)  
SOIC (D)  
Tape and reel  
Tape and reel  
2037AQ  
2027Q1  
2037Q1  
−40°C to 125°C  
100 µV  
‡
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available  
at www.ti.com/sc/package.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2006 Texas Instruments Incorporated  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...29

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