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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> TLC386T
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TLC386T

更新时间： 2024-11-01 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
5页 55K
描述
SENSITIVE GATE TRIACS

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TLC386T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：5 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：15 mAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：3 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：700 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

TLC386T 数据手册

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TLC116 ---> TLC386  
T/D/S/A  
SENSITIVE GATE TRIACS  
FEATURES  
VERY LOW I = 5mA max  
.
GT  
LOW I = 15mA max  
.
H
DESCRIPTION  
The TLC116 ---> TLC386 T/D/S/A triac family  
uses a high performance glass passivated PNPN  
technology.  
A1  
A2  
G
These parts are suitable for general purpose ap-  
plications where gate high sensitivity is required.  
Application on 4Q such as phase control and static  
TL  
(Plastic)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
3
Unit  
I
RMS on-state current  
(360 conduction angle)  
Tl = 40°C  
Ta = 25°C  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
tp = 10 ms  
A
T(RMS)  
°
1.3 (1)  
31.5  
30  
I
Non repetitive surge peak on-state current  
( Tj initial = 25 C )  
A
TSM  
°
2
2
2
I t  
I t value  
4.5  
A s  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
Repetitive  
F = 50 Hz  
10  
A/µs  
Gate supply : I = 50mA di /dt = 0.1A/ s  
µ
G
G
Non  
50  
Repetitive  
Tstg  
Tj  
Storage and operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 110  
°C  
C
°
Tl  
Maximum lead temperature for soldering during 4 s at 4.5 mm  
from case  
230  
C
°
Symbol  
Parameter  
TLC  
226 T/D/S/A 336 T/D/S/A  
400 600  
Unit  
116 T/D/S/A  
386 T/D/S/A  
700  
V
V
Repetitive peak off-state  
200  
V
DRM  
RRM  
voltage  
Tj = 110°C  
(1) With Cu surface 1cm2.  
1/5  
February 1999 Ed: 1A  
12345

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