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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> TLC27L2IDG4
TLC27L2IDG4 PDF预览

TLC27L2IDG4

更新时间： 2024-10-30 12:02:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
49页 1467K
描述
LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

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TLC27L2IDG4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.04Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.00006 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.00006 µA
最小共模抑制比：65 dB标称共模抑制比：94 dB
频率补偿：YES最大输入失调电流 (IIO)：0.00006 µA
最大输入失调电压：10000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.9 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：YES湿度敏感等级：1
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：260功率：NO
电源：4/16 V可编程功率：NO
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最小摆率：0.02 V/us标称压摆率：0.03 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.034 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：85 kHz最小电压增益：50000
宽带：NO宽度：3.91 mm
Base Number Matches：1

TLC27L2IDG4 数据手册

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SLOS052D − OCTOBER 1987 − REVISED OCTOBER 2005  
D, JG, OR P PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
Trimmed Offset Voltage:  
TLC27L7 . . . 500 µV Max at 25°C,  
= 5 V  
V
DD  
1OUT  
1IN−  
1IN+  
GND  
V
DD  
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
Input Offset Voltage Drift . . . Typically  
0.1 µV/Month, Including the First 30 Days  
Wide Range of Supply Voltages Over  
Specified Temperature Range:  
0°C to 70°C . . . 3 V to 16 V  
2OUT  
2IN−  
2IN+  
FK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
−40°C to 85°C . . . 4 V to 16 V  
−55°C to 125°C . . . 4 V to 16 V  
D
D
Single-Supply Operation  
Common-Mode Input Voltage Range  
Extends Below the Negative Rail (C-Suffix,  
I-Suffix Types)  
3
2
1
20 19  
18  
NC  
NC  
4
5
6
7
8
2OUT  
NC  
1IN−  
NC  
17  
16  
15  
14  
D
D
Ultra-Low Power . . . Typically 95 µW  
at 25°C, V  
= 5 V  
DD  
2IN−  
NC  
1IN+  
NC  
Output Voltage Range Includes Negative  
Rail  
9 10 11 12 13  
12  
D
D
D
High Input Impedance . . . 10 Ω Typ  
ESD-Protection Circuitry  
Small-Outline Package Option Also  
Available in Tape and Reel  
NC − No internal connection  
D
Designed-In Latch-Up immunity  
DISTRIBUTION OF TLC27L7  
INPUT OFFSET VOLTAGE  
description  
30  
25  
20  
15  
10  
5
335 Units Tested From 2 Wafer Lots  
The TLC27L2 and TLC27L7 dual operational  
V
T
A
= 5 V  
DD  
= 25°C  
P Package  
amplifiers combine a wide range of input offset  
voltage grades with low offset voltage drift, high  
input impedance, extremely low power, and high  
gain.  
AVAILABLE OPTIONS  
PACKAGE  
V
max  
SMALL  
OUTLINE  
(D)  
CHIP  
CARRIER  
(FK)  
CERAMIC  
DIP  
(JG)  
PLASTIC  
DIP  
IO  
T
A
AT 25°C  
(P)  
500 µV TLC27L7CD  
2 mV TLC27L2BCD  
5 mV TLC27L2ACD  
10 mV TLC27L2CD  
TLC27L7CP  
0°C  
to  
70°C  
TLC27L2BCP  
TLC27L2ACP  
TLC27L2CP  
—
—
—
—
0
−800  
−400  
0
400  
800  
V
IO  
− Input Offset Voltage − µV  
500 µV TLC27L7ID  
2 mV TLC27L2BID  
5 mV TLC27L2AID  
10 mV TLC27L2ID  
TLC27L7IP  
TLC27L2BIP  
TLC27L2AIP  
TLC27L2IP  
−40°C  
to  
85°C  
−55°C  
to  
125°C  
TLC27L7MD  
500 µV  
TLC27L7MFK TLC27L7MJG TLC27L7MP  
TLC27L2MFK TLC27L2MJG TLC27L2MP  
TLC27L2MD  
10 mV  
TLC27L2MDRG4  
The D package is available taped and reeled. Add R suffix to the device type  
(e.g., TLC27L7CDR).  
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.  
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Copyright 2005, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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TLC27L2IDG4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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