是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.43 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.00006 µA | 最小共模抑制比: | 65 dB |
标称共模抑制比: | 80 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 13000 µV | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 9.81 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 包装方法: | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 4/16 V |
可编程功率: | YES | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 标称压摆率: | 2.9 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 2.5 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 1700 kHz | 最小电压增益: | 10000 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLC271MD | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLC271MDR | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLC271MDRG4 | TI |
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LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS | |
TLC271MFH | TI |
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IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | |
TLC271MFK | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLC271MFK/883B | TI |
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IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | |
TLC271MFKB | TI |
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IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | |
TLC271MJG | TI |
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LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLC271MJG/883B | TI |
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IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,DIP,8PIN,CERAMIC | |
TLC271MJGB | TI |
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IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,DIP,8PIN,CERAMIC |