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TL082MJG

更新时间： 2024-02-25 03:08:09

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器
页数	文件大小	规格书
8页	459K
描述
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC

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TL082MJG 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.05 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
最小共模抑制比：	80 dB	标称共模抑制比：	86 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电流 (IIO)：	0.02 µA
最大输入失调电压：	9000 µV	JESD-30 代码：	R-GDIP-T8
长度：	9.58 mm	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	NO
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	包装方法：	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	功率：	NO
电源：	+-15 V	可编程功率：	NO
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.08 mm	最小摆率：	5 V/us
标称压摆率：	13 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	5.6 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	3000 kHz	最小电压增益：	15000
宽带：	NO	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

TL082MJG 数据手册

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与TL082MJG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TL082MJG883B	TI	获取价格	DUAL OP-AMP, 0uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
TL082MJGB	TI	获取价格	JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL082MN	STMICROELECTRONICS	获取价格	GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL082MP	STMICROELECTRONICS	获取价格	GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL082MPT	STMICROELECTRONICS	获取价格	GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL082MU	TI	获取价格	JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL082MWC	TI	获取价格	暂无描述
TL082-N	TI	获取价格	TL082 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
TL082-N_13	TI	获取价格	Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
TL082-P08-R	UTC	获取价格	GENERAL PURPOSE DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER