是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | LEAD FREE, TSSOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.57 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.02 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA | 标称共模抑制比: | 80 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电流 (IIO): | 0.004 µA |
最大输入失调电压: | 7000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.4 mm |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
湿度敏感等级: | 1 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小摆率: | 8 V/us |
标称压摆率: | 16 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2.5 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 标称均一增益带宽: | 4000 kHz |
最小电压增益: | 25000 | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TL082B | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082B | STMICROELECTRONICS |
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GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BC | STMICROELECTRONICS |
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GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCD | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCD | STMICROELECTRONICS |
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GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCD | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | |
TL082BCDE4 | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCDG4 | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCDR | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL082BCDRE4 | TI |
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JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |