5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.02 µA | 标称共模抑制比： | 86 dB |
| 最大输入失调电压： | 13000 µV | JESD-30 代码： | R-XDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.2 mm |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.31 mm |
| 标称压摆率： | 16 V/us | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 标称均一增益带宽： | 4000 kHz | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TL082G-D08-T | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
|
| TL082G-P08-R | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
|
| TL082G-S08-R | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER |
|
| TL082H | TI |
获取价格 |
TL08xx FET-Input Operational Amplifiers |
|
| TL082HIDDFR | TI |
获取价格 |
TL08xx FET-Input Operational Amplifiers |
|
| TL082HIDR | TI |
获取价格 |
TL08xx FET-Input Operational Amplifiers |
|
| TL082HIPWR | TI |
获取价格 |
TL08xx FET-Input Operational Amplifiers |
|
| TL082I | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TL082ID | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TL082ID | TI |
获取价格 |
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
