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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.007 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA | 标称共模抑制比： | 86 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 7500 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 9.27 mm | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 微功率： | YES |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.33 mm | 最小摆率： | 1.5 V/us |
| 标称压摆率： | 3.5 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.5 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 1000 kHz |
| 最小电压增益： | 4000 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TL062B | STMICROELECTRONICS |
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LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062B | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BC | STMICROELECTRONICS |
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LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCD | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCD | STMICROELECTRONICS |
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LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCDE4 | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCDG4 | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCDR | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCDRE4 | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TL062BCDRG4 | TI |
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LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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