是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.85 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA | 最小共模抑制比: | 75 dB |
标称共模抑制比: | 85 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 4600 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -5 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | +-5/+-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 11 V/us | 标称压摆率: | 16 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 3.2 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 3000 kHz |
最小电压增益: | 50000 | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TL051AIDR | TI |
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OP-AMP, 4600uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | |
TL051AIJG | TI |
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OP-AMP, 2600uV OFFSET-MAX, 3.1MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, | |
TL051AIL | TI |
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OP-AMP, 2600uV OFFSET-MAX, 3.1MHz BAND WIDTH, MBCY8, HERMETIC SEALED, METAL CAN-8 | |
TL051AIP | STMICROELECTRONICS |
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ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL051AIP | TI |
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ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL051AIP | ROCHESTER |
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OP-AMP, 4600 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
TL051AMD | TI |
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ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL051AMFK | TI |
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ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL051AMJG | TI |
获取价格 |
ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TL051AMJGB | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC |