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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 105 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TK8A65D | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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| TK8A65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.65 Ω@10V, TO-220SIS, DT |
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| TK8B50D | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC |
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| TK8P25DA | FREESCALE |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (Ï-MOSî²) |
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| TK8P25DA | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 250 V, 0.5 Ω@10V, DPAK, π-MOSⅦ |
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| TK8P60W | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
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| TK8P60W5 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 600 V, 0.56 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅣ |
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| TK8P65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.67 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅣ |
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| TK8Q60W | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
|
| TK8Q65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.67 Ω@10V, IPAK, DTMOSⅣ |
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