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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 雪崩能效等级（Eas）： | 105 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STF12N65M2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，TO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TK8A60W5 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 600 V, 0.54 Ω@10V, TO-220SIS, DT |
|
| TK8A65D | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
|
| TK8A65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.65 Ω@10V, TO-220SIS, DT |
|
| TK8B50D | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC |
|
| TK8P25DA | FREESCALE |
获取价格 |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (Ï-MOSî²) |
|
| TK8P25DA | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 250 V, 0.5 Ω@10V, DPAK, π-MOSⅦ |
|
| TK8P60W | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
|
| TK8P60W5 | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 600 V, 0.56 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅣ |
|
| TK8P65W | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 650 V, 0.67 Ω@10V, DPAK, DTMOSⅣ |
|
| TK8Q60W | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Voltage Regulators |
|
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